IV族クラスレートの合成方法

開放特許情報番号
L2015000503
開放特許情報登録日
2015/3/18
最新更新日
2016/10/27

基本情報

出願番号 特願2015-033515
出願日 2015/2/24
出願人 国立大学法人岐阜大学
公開番号 特開2016-156041
公開日 2016/9/1
発明の名称 IV族クラスレートの製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 IV族クラスレートを効率よく製造する方法
目的 膜状のクラスレートを製造する新規な方法を提供する。
効果 本発明のクラスレートの製造方法は、好適な膜状のゲルマニウムクラスレートおよび他のIV族元素をホスト原子とするクラスレートを製造することができる。その結果得られたクラスレートは、太陽電地、熱電素子、超伝導材料として利用可能である。
技術概要
クラスレートの製造方法であって、
基板上に、ホスト原子となるIV族元素を積層する積層工程と、
IV族元素の積層を有する前記基板とゲスト原子の結晶とを間隔をおいて反応容器内に収容する前処理工程と、
当該反応容器を、不活性ガスの雰囲気下で350℃以上650℃以下の温度により、0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱する第一加熱工程と、
ゲスト原子と前記基板とが収容されている反応容器を冷却する冷却工程と、
前記基板を、10−2Pa以下の陰圧下で250℃以上450℃以下の温度により1時間以上24時間以下の加熱時間で加熱する第二加熱工程と、
を備えていることを特徴とするクラスレートの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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