光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法

開放特許情報番号
L2015000325
開放特許情報登録日
2015/2/26
最新更新日
2015/2/26

基本情報

出願番号 特願2009-253515
出願日 2009/11/4
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2011-100584
公開日 2011/5/19
登録番号 特許第5584448号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法
目的 画面欠陥を抑制することができる光導電素子及びその製造方法、撮像デバイス及びその製造方法、並びに導電膜付き基板の製造方法を提供する。
効果 本発明によれば、平坦度の高い導電膜を形成することができ、光導電膜として初期段階の欠陥を抑制でき、使用された場合の光導電膜の長期使用耐性を向上させることができる。
本発明は、平坦な導電膜を必要とするデバイス全般に利用することができ、特に、光導電素子、撮像デバイス等の光デバイス及びその製造に好適に利用することができる。
技術概要
透光性基板と、該透光性基板の上に形成された導電膜と、該導電膜上に正孔注入阻止層を介して形成された光導電膜とを含む光導電素子であって、
前記導電膜は、算術平均粗さが0.15nm以下の平坦度を有し、結晶化していて膜厚が5〜6nmであり、酸化インジウムを主成分とし、酸化スズを7〜13重量%含有することを特徴とする光導電素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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