共鳴トンネルダイオード素子および不揮発性メモリ

開放特許情報番号

L2015000301

開放特許情報登録日

2015/2/23

最新更新日

2018/3/28

基本情報

出願番号	特願2015-556817
出願日	2015/1/7
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	WO2015/105123
公開日	2015/7/16
登録番号	特許第6278419号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	共鳴トンネルダイオード素子及びこれを用いた不揮発性メモリ
目的	低消費電力化、高集積化、超高速動作、高耐環境性に優れたＲＴＤ素子を提供すること、及び該ＲＴＤ素子による不揮発性抵抗変化型メモリを提供すること。 従来のＳｉ／ＣａＦ↓2／ＣｄＦ↓2系ＲＴＤ素子とは異なる半導体材料を用いて、ＲＴＤ素子を提供すること、及び該ＲＴＤ素子による不揮発性抵抗変化型メモリを提供すること。 また、窒化物半導体等のＲＴＤ素子を提供すること。 また、設計性および生産性に優れたＲＴＤ素子及び抵抗変化型メモリを提供すること。
効果	半導体の持つピエゾ分極および自発分極、又は混晶材料での組成傾斜を用いて、ＲＴＤ素子において量子井戸に三角形状等の緩やかなポテンシャル変化を形成することにより、エミッタ層の伝導帯底よりも低いエネルギーの量子準位を形成し、サブバンド間遷移による量子準位への蓄積を可能とする。
技術概要	複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、分極または組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。 複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の、該井戸層と該バリア層間に、該井戸層及び該バリア層のいずれともバンドギャップの異なる中間層を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】