| 出願番号 |
特願2012-525791 |
| 出願日 |
2012/2/27 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2012/118023 |
| 公開日 |
2012/9/7 |
| 登録番号 |
特許第5152945号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェン |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、基板上グラフェン |
| 目的 |
グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェンを提供する。 |
| 効果 |
本発明によれば、グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェンを提供することができる。
炭素の濃度分布を適切に設定することによって、グラフェンの結晶が成長を開始する位置ならびに成長する方向を制御することができる。
また、グラフェンの成長開始点を減らすことで極めて大きな結晶粒径を実現することができる。 |
技術概要
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基板上にグラフェンを製造する製造方法等を提供する。ここで、形成工程では、金属に炭素が固溶した固溶体が形成可能な固溶温度への加熱を行って、当該固溶体からなる固溶体層（５０５）を基板（１０３）上に形成する。そして、除去工程では、固溶温度への加熱を維持したまま固溶体層（５０５）から金属を除去することにより、基板（１０３）上でグラフェン（１０２）を成長させる。炭素を固溶させる溶媒には単一の元素からなる金属のほか、各種の合金も利用可能である。エッチングガスを供給することによって固溶体層（５０５）から金属を除去すれば、グラフェン（１０２）は、基板（１０３）に接することとなる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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