安熱法による成長で作製された、窒素面またはM面GaN基板を用いた光電子デバイスと電子デバイス

開放特許情報番号
L2015000158
開放特許情報登録日
2015/2/9
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2009-516560
出願日 2007/6/20
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2007/149487
公開日 2007/12/27
登録番号 特許第5604102号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 安熱法による成長で作製された、窒素面またはM面GaN基板を用いた光電子デバイスと電子デバイス
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 安熱法による成長技術を用いた窒素面の窒化ガリウムまたはM面の窒化ガリウムの成長方法と材料
目的 安熱法による成長方法を用いて作製したN面またはM面のGaN基板を用いることによって、既存のデバイスよりも高性能を持つ、電子デバイスを提供する。
効果 本発明の安熱法による方法で作製した有極性窒素面(窒素面)またはM面の表面を用いることによって、あらゆる種類の光電子デバイスと電子デバイスの性能を改善することができる。
また、本発明では窒素面またはM面を露出させるためのチップの貼り合せおよび剥離の工程が必要なくなるため、工程のステップを減らすことができる。
技術概要
GaN層を備えた電子デバイスであって、前記GaN層はGaN基板のM面上を覆い、前記GaN基板はGaN種上に安熱法により成長されたGaNバルク結晶からなり、成長した前記M面は安熱法により成長されたGaNバルク結晶の成長したGa面表面よりも平坦であることを特徴とする電子デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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