側壁を用いた選択横方向エピタキシャル成長(SLEO)法による無極性および半極性III族窒化物の欠陥低減方法及び装置

開放特許情報番号
L2015000020
開放特許情報登録日
2015/1/12
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2008-514784
出願日 2006/5/31
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2006/130623
公開日 2006/12/7
登録番号 特許第5570116号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 側壁を用いた選択横方向エピタキシャル成長(SLEO)法による無極性および半極性III族窒化物の欠陥低減方法及び装置
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 側壁を用いた選択横方向エピタキシャル成長(SLEO)法による無極性および半極性III族窒化物の欠陥低減方法及び装置
目的 誘電体マスクを通してエッチングされた窒化物材料の側壁を用いた選択横方向成長法を用いて、高品質の(欠陥密度が最小の)無極性a{11−20}面およびm{1−100}面および半極性{10−1n}面を持つIII族窒化物材料を作製する。
効果 本発明を利用して作製された材料では長寿命、リーク電流の低減、ドーピング効率の向上および高出力効率などのデバイス特性の改善が可能である。
この材料を用いたデバイスは、分極の効果を除去または低減すること、さらに、再現性ある、簡単かつ効果のあがるプロセスと成長方法を用いて欠陥を効率よく除去することができる。
また、本発明は、選択横方向成長技術を用いて成長することが出来るあらゆるエピタキシャル材料を用いて実行することが出来、電子デバイス、光電子デバイス、および電気機械デバイスの飛躍的改良をもたらすものである。
技術概要
無極性または半極性III族窒化物テンプレート上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、
該マスクの開口を通して色々な深さまでテンプレート材料をエッチングする工程と、
溝の底から垂直方向に成長する材料が表面に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長して合体させることによって無極性または半極性エピタキシャル薄膜を再成長する工程を含むものである。
合体した材料はマスクの開口を通って成長し、その後、誘電体マスクの上を横方向に成長して、完全に合体した連続的な薄膜が形成される。

本発明では側壁選択横方向エピタキシャル成長技術を用いることで、横方向成長領域にだけでなく窓領域においても欠陥を除去することによって、転位密度を更に低い値に低減することができる。
また、ガリウム(Ga)面成長を促進して窒素(N)面成長を制限することによって、積層欠陥密度を1桁低くすることが出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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