メモリコントローラ,データ記憶装置およびメモリの制御方法

開放特許情報番号
L2014002411
開放特許情報登録日
2014/12/26
最新更新日
2016/10/20

基本情報

出願番号 特願2012-205664
出願日 2012/9/19
出願人 学校法人 中央大学
公開番号 特開2014-059820
公開日 2014/4/3
登録番号 特許第5995071号
特許権者 学校法人 中央大学
発明の名称 メモリコントローラ,データ記憶装置およびメモリの制御方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 メモリコントローラ,データ記憶装置およびメモリの制御方法
目的 不揮発性メモリの劣化を抑制すると共により高速にデータを書き込む。
効果 メモリコントローラやデータ記憶装置などの製造産業に利用可能である。
技術概要
ページ利用率Rが閾値Rth1未満であるときや書き込みデータが高頻度書換データであるときには書き込みデータをReRAMに記憶させる。そして、ReRAMの空き容量Semp2が閾値Sth未満であるとき(ステップS110)、ReRAMのデータが低頻度書換データであり且つ対象のデータをフラッシュメモリ22に記憶させたときのページ利用率Rが閾値Rth3以上であるときには(ステップS120,S130)、移動リストに記憶されているN個の論理ページアドレスに含まれる論理セクタのデータをReRAMから読み出してフラッシュメモリに書き込む(ステップS140〜S160)。これにより、フラッシュメモリの劣化を抑制すると共により高速にデータを書き込むことができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 中央大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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