半導体装置とその製造方法

開放特許情報番号
L2014002352
開放特許情報登録日
2014/12/18
最新更新日
2016/6/24

基本情報

出願番号 特願2014-189901
出願日 2014/9/18
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-063069
公開日 2016/4/25
発明の名称 半導体装置とその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 結晶シリコン太陽電池などの半導体装置と、その製造方法
目的 結晶シリコン太陽電池などの半導体装置で、シリコン窒化物層に開口部を形成するとともに、同時にその開口部内に銅拡散バリア層を形成する。
効果 結晶シリコン太陽電池などの半導体装置で、シリコン窒化物層に開口部を形成するとともに、同時にその開口部内に銅拡散バリア層が形成できる。
技術概要
本発明の半導体装置の製造方法は、リン酸とカーボンブラックとを含有するエッチング剤を、シリコン窒化物層上に所定のパターンで塗布する塗布工程と、エッチング剤を加熱してシリコン窒化物層に開口部を形成するとともにカーボンブラックを含有する銅拡散バリア層を開口部内に形成する銅拡散バリア層形成工程とを有する。本発明の半導体装置の製造方法においてシリコン窒化物層がn型半導体層上に設けられていてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、n型半導体層はn型ドープされたシリコン層であってもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、銅拡散バリア層上に銅電極を形成する電極形成工程をさらに有していてもよい。本発明の半導体装置は、n型半導体層と、n型半導体層上に設けられ、開口部を備えるシリコン窒化物層と、開口部内に設けられ、カーボンブラックを含有する銅拡散バリア層と、銅拡散バリア層上に設けられた銅層とを有する。本発明の半導体装置において、n型半導体層がn型ドープされたシリコン層であってもよい。本発明の半導体装置において、銅拡散バリア層がシリコン酸化物をさらに含有し、シリコン酸化物がカーボンブラック中に分散されていることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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