不揮発性メモリ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014002340
開放特許情報登録日
2014/12/18
最新更新日
2016/6/24

基本情報

出願番号 特願2014-180042
出願日 2014/9/4
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-054246
公開日 2016/4/14
発明の名称 不揮発性メモリ及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 加熱・冷却、環境・リサイクル対策
適用製品 不可逆変化を利用したヒューズ型の不揮発性メモリ及びその製造方法
目的 低い電力で安定して書き込みが可能であって、且つ、印刷技術によって基板上に高精細に形成し得る不揮発性メモリ及びその製造方法の提供。
効果 ビット部の溶断による電気的変化を基体の膨張が促進させ、確実な書き込みとその読み出しにおける保持安定性を高め得る。
簡便に反射率の変化を検出できて、簡便な光学的読み出しができ得る。
ビット部での通電をより良好にするとともに、金属微粒子の金属バルク化を促進させつつ不可逆的な電気的な絶縁を確実に与え得、低い電力で安定した書き込みをできる不揮発性メモリを与える。
技術概要
電気的に書き込まれ光学的に読み出される不揮発性メモリである。基体上に金属微粒子を含むインクで印刷されており通電によって該金属微粒子の集合体が金属バルク体へと変化し溶断するとともに所定波長域の反射率を高くするように変化するビット部を含む。かかる不揮発性メモリの製造方法においては、金属微粒子を含むインクでビット部を印刷するステップと、該ビット部を加熱し導電性を付与する加熱ステップと、を含む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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