| 出願番号 |
特願2016-542585 |
| 出願日 |
2015/8/11 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2016/024585 |
| 公開日 |
2016/2/18 |
| 登録番号 |
特許第6238389号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
有機ＴＦＴアレイ検査装置及びその方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
有機半導体薄膜ＴＦＴアレイの検査装置及びその方法 |
| 目的 |
有機ＴＦＴ素子のチャネル層を与える有機半導体薄膜におけるキャリアの蓄積の有無を光学的に測定し、ＴＦＴアレイ中の断線欠陥を検出し、及び／又は、各ＴＦＴ素子の出力特性、応答速度のばらつきを評価可能な検査装置及びその方法の提供。 |
| 効果 |
単色光の照射下において所定周期で変調させてノイズレベルを低減しつつ撮像することで、高い感度で差イメージを取得できて、ＴＦＴアレイ中の断線欠陥を正確に検出できる。差イメージのコントラストを上げることができて、ＴＦＴアレイ中の断線欠陥を正確に検出できる。 |
技術概要
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有機ＴＦＴ素子のチャネル層を与える有機半導体薄膜におけるキャリアの蓄積の有無を光学的に測定する装置及びその方法である。各有機ＴＦＴにおいてソースとドレインを短絡させこれとゲートとの間に所定周期で電圧をオン・オフさせるとともに、単色光を照射しながら所定周期に同期させて電圧の印加前後の撮像を行ってこの差イメージを得ることを特徴とする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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