量子ドット型高速フォトダイオード
- 開放特許情報番号
- L2014002221
- 開放特許情報登録日
- 2014/11/17
- 最新更新日
- 2023/1/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-008947 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/1/22 |
| 出願人 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/8/7 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 発明の名称 | 量子ドット型高速フォトダイオード |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 量子ドット型高速フォトダイオード |
| 目的 | 光通信の高周波帯域に対応して十分な信号レベルの受信信号を出力する量子ドット型高速フォトダイオードを提供する。 |
| 効果 | この発明によれば、量子ドットを含めて光吸収層を形成したので、高周波の光信号を入射した場合でも大きな信号電流を出力することができる。 |
技術概要) |
Ｐ型半導体層と、
前記基板に積層されたＮ型半導体層と、 前記Ｐ型半導体層と前記Ｎ型半導体層との間に形成された量子ドットを含む量子ドット層からなり、高周波の光信号に対応する層厚を有する光吸収層と、 前記Ｐ型半導体層に接続する第１電極と、 前記Ｎ型半導体層に接続する第２電極と、 を有し、 前記第１電極と前記第２電極との間にバイアス電圧が印加されているとき、 前記光吸収層へ入射した光信号に応じて前記量子ドットならびに価電子帯から励起したキャリアの移動によって信号電流を出力する、 ことを特徴とする量子ドット型高速フォトダイオード。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT)では、みなさまに
ご活用いただきたい成果(シーズ)を、以下に公開しています。 製品化や技術移転など、お気軽にご相談ください。 https://www2.nict.go.jp/oihq/seeds/ |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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