| 出願番号 |
特願2010-145987 |
| 出願日 |
2010/6/28 |
| 出願人 |
独立行政法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2012-008072 |
| 公開日 |
2012/1/12 |
| 登録番号 |
特許第5476584号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
電流の方向と密度の測定方法、表示方法及び測定表示装置 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電流の方向と密度の測定方法、表示方法及び測定表示装置 |
| 目的 |
逆フーリエ変換を行うことなく、また、弱磁場下の磁場分布の測定結果からも、薄膜の局所領域の面内を流れる電流の方向と密度を同時に算出可能な電流の方向と密度の測定方法、その表示方法及びその測定表示装置を提供する。 |
| 効果 |
本発明の電流の方向と密度の測定表示装置は、薄膜の局所領域の面内を流れる電流の方向と密度を同時に算出することができる電流の方向と密度の測定表示装置を提供できる。
本発明の電流の方向と密度の測定方法、表示方法及び測定表示装置は、逆フーリエ変換を行うことなく、弱磁場下 の磁場分布の測定結果からも、薄膜の局所領域を流れる電流の方向と電流密度を同時に算出可能であり、薄膜を用いた電子デバイス等の産業等に利用可能性がある。 |
技術概要
 |
薄膜の一面に開口部を設ける工程と、
前記開口部の近傍に一対の正の磁界と負の磁界を発生させる工程と、
前記正の磁界の最大値と前記負の磁界の最小値の位置と大きさから、前記開口部の近傍であって前記薄膜の一面側を流れる電流の方向と密度を算出する工程と、を有することを特徴とする電流の方向と密度の測定方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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