有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2014002168
開放特許情報登録日
2014/11/6
最新更新日
2016/6/21

基本情報

出願番号 特願2011-141945
出願日 2011/6/27
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-033904
公開日 2012/2/16
登録番号 特許第5920806号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 有機半導体薄膜形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機半導体薄膜の形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ
目的 高い結晶性を有することで移動度の高い有機半導体薄膜を提供する。
効果 溶媒蒸気アニールという簡単な処理を用いることで、高い結晶性を有する有機半導体薄膜を形成することができる。
従来に比べてキャリアの移動度の高い有機半導体膜、及びそれを利用した有機半導体素子を提供することができるので、有機FET、有機LED、太陽電池を含む広い応用分野での有機半導体の実用化を促進することができる。
技術概要
以下のステップを含む有機半導体薄膜形成方法。
(a) 高分子の層及び有機半導体の層からなる二層構造を基板上に形成する。
(b) 前記二層構造に対して前記高分子及び前記有機半導体が可溶な溶媒を使用して溶媒蒸気アニール処理を施す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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