ゲート電極及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014002152
開放特許情報登録日
2014/11/6
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2010-204196
出願日 2010/9/13
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-060055
公開日 2012/3/22
登録番号 特許第5598916号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ゲート電極及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 nMOSFETのゲート電極及びその製造方法
目的 フラットバンド電圧を制御できるとともに、半導体デバイス製造プロセスで使用される高温に曝されても特性の劣化が少ない、nMOSFETのゲート電極を与える。
効果 500℃〜600℃程度の熱処理を経ても構造が安定で、抵抗が低く、かつY元素の添加量を調節することでフラットバンド電圧を調節することができるゲート電極及びその製造方法が与えられる。
熱処理を経ても構造が安定した、フラットバンド電圧を調節できるゲート電極を実現することができるので、nMOSFETデバイスの性能向上に大いに貢献することが可能である。
技術概要
炭化タンタルにイットリウムを添加した材料でゲート電極を作成する。このゲート電極はイットリウムの添加量に従ってフラットバンド電圧を調節できるとともに、600℃程度の熱処理を受けても特性の劣化が少ない。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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