| 出願番号 |
特願2010-231352 |
| 出願日 |
2010/10/14 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2012-084781 |
| 公開日 |
2012/4/26 |
| 登録番号 |
特許第5747245号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、加熱・冷却、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 目的 |
トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
自動的にチャネルが保護されており動作安定性に優れ、安定・高周波・大電流・高耐圧動作可能であり、トランジスタ特性の再現性が高く、高速・ハイパワー電界効果トランジスタとすることができる。
薄膜内の残留歪をほぼ緩和させることができ、ＩＩＩ族窒化物半導体層の膜厚およびデバイスのサイズのみの制御でトランジスタ特性を制御できるため、再現性が良い。
トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法に関するものであり、電界効果トランジスタの製造産業等において利用可能性がある。 |
技術概要
 |
ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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