電界効果トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014002145
開放特許情報登録日
2014/11/6
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2010-231352
出願日 2010/10/14
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-084781
公開日 2012/4/26
登録番号 特許第5747245号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却、制御・ソフトウェア
適用製品 電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的 トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果 自動的にチャネルが保護されており動作安定性に優れ、安定・高周波・大電流・高耐圧動作可能であり、トランジスタ特性の再現性が高く、高速・ハイパワー電界効果トランジスタとすることができる。
薄膜内の残留歪をほぼ緩和させることができ、III族窒化物半導体層の膜厚およびデバイスのサイズのみの制御でトランジスタ特性を制御できるため、再現性が良い。
トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法に関するものであり、電界効果トランジスタの製造産業等において利用可能性がある。
技術概要
ダイヤモンド基板11と、前記ダイヤモンド基板11の一面11a側に離間して形成された第2の電極13及び第3の電極14と、2つの電極13、14の間に離間して形成された第1の電極15と、を有する電界効果トランジスタであって、第1の電極15とダイヤモンド基板11との間にIII族窒化物半導体層12が設けられ、ダイヤモンド基板11とIII族窒化物半導体層12との界面17の近傍領域に正孔伝導チャネル領域16が形成されている電界効果トランジスタ10を用いることによって前記課題を解決できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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