X線・中性子線イメージングの方法及び装置

開放特許情報番号
L2014002092
開放特許情報登録日
2014/10/30
最新更新日
2015/12/22

基本情報

出願番号 特願2011-028432
出願日 2011/2/14
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-167985
公開日 2012/9/6
登録番号 特許第5825602号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 中性子線イメージングの方法及び装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 X線反射率法および中性子反射率法に画像情報を付与する方法及びその装置
目的 X線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。
効果 均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜の分析、評価を行う方法及び装置が提供され、半導体集積回路デバイス、磁気デバイス、表示デバイス等に用いられるパターン化された薄膜・多層膜の製品の検査・評価技術としての応用が期待される。密度、膜厚、表面・界面ラフネスの場所による違いを画像化することにより、製品が設計通りであるかどうかを確認し、あるいは性能が不良である場合の原因を検討することにより、製品の品質向上に役立てることができる。
技術概要
物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布をX線反射率法により取得し画像化する方法であって、一方向に長く他方向には短い線状の単色X線ビームの全反射現象に伴い観測される反射スポット内部に観測されるX線強度プロファイルデータを多数取得し、それらを用いた数値演算による再構成を行うことを特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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