電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014002089
開放特許情報登録日
2014/10/30
最新更新日
2015/10/20

基本情報

出願番号 特願2011-034289
出願日 2011/2/21
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-180536
公開日 2012/9/20
登録番号 特許第5780543号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ及びその製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ膜及びその製造方法
目的 電子線描画法を用い、任意領域に、任意形状にて高規則性陽極酸化アルミナ膜及びその製造方法を提供する。
効果 Alの下部層としてはTi以外にも薄膜形成技術からCr等の3d遷移金属、TiN及びAlN等の窒化物に置換しても同等の作用効果を発揮させることができる。
薄膜の利用によりAl層膜厚の制御性が高い。
従来の半導体プロセスへ本発明を応用することで、例えば、MOSゲート絶縁膜などの半導体デバイス上への高誘電率絶縁膜製造の製造が可能となり、より高い規則性、平坦性、膜厚制御性の特定波長フィルタの製造が可能となる。
任意基板上へのナノドット、ナノロッド等ナノ構造の基板上への形成時マスク材料としての応用も可能となる。
技術概要
Al薄膜上のSiO↓2保護層表面に細孔の発生起点をあらかじめ電子線描画により定めた所定の形態に高規則に配列することにより、細孔径、細孔間隔、縦、横、深さ方向の規則性を制御することを特徴とする陽極酸化アルミナ膜の製造方法、及びその方法により製造された陽極酸化アルミナ膜。得られた陽極酸化アルミナ膜は機能性デバイス及び半導体デバイス上絶縁体を作製するための材料として使用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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