紫外光検出デバイス及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014002088
開放特許情報登録日
2014/10/30
最新更新日
2015/10/26

基本情報

出願番号 特願2011-045788
出願日 2011/3/3
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-182396
公開日 2012/9/20
登録番号 特許第5791026号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 紫外光検出デバイス及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 紫外光検出デバイス及びその製造方法
目的 破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、SN比、on/off比及び応答速度を高めた紫外光検出デバイス及びその製造方法を提供する。
効果 破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、SN比、on/off比及び応答速度を高めることができる。
紫外光検出デバイスをはじめとする光デバイス製造産業や、III−V族窒化物薄膜太陽電池の高効率化に展開できる。更に、本構成は発光デバイス及びトランジスターへの応用が期待できる。
技術概要
III−V族化合物薄膜からなり、紫外光照射面35を有する紫外光検出層22と、前記紫外光検出層22の一面22aに形成された絶縁部23と、絶縁部23の一面23aに形成された第1及び第2の電極部31、32と、を有する紫外光検出デバイス11であって、絶縁部23がII−VII族化合物である紫外光検出デバイスを用いることによって前記課題を解決できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT