電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置

開放特許情報番号
L2014002065
開放特許情報登録日
2014/10/23
最新更新日
2015/11/23

基本情報

出願番号 特願2011-166145
出願日 2011/7/29
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-029435
公開日 2013/2/7
登録番号 特許第5804256号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置
目的 光ポンピング法を用いず、スピン偏極率の絶対値が0.05以上である電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置を提供する。
効果 本発明の電子スピン偏極イオンビーム発生方法及び電子スピン偏極イオンビーム発生装置は、光ポンピング法を用いず、スピン偏極率の絶対値が0.05以上である電子スピン偏極イオンビームを発生させることができる。
よって、本発明は、分析装置産業等において利用可能性がある。
技術概要
希ガス元素イオンからなるイオンビームを発生させる工程と、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射して、散乱イオンビームを出射させる工程と、前記散乱イオンビームを静電アナライザ13内に取り込んで、電界を印加して、電子スピン偏極イオンビームを発生させる工程と、を有する電子スピン偏極イオンビーム発生方法であって、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射する際、前記イオンビームの入射方向と前記散乱イオンビームの出射方向の両者を含む散乱面に対して、磁場の方向が80°以上100°以下の方向となるように、磁場を印加する電子スピン偏極イオンビーム発生方法を用いることによって前記課題を解決できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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