| 出願番号 |
特願2011-178544 |
| 出願日 |
2011/8/17 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2013-042015 |
| 公開日 |
2013/2/28 |
| 登録番号 |
特許第5892581号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
プラズマプロセス装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
プラズマプロセス装置 |
| 目的 |
プラズマプロセス装置において、気相中に含まれるところのプロセス上有害な成分（例えば、高次シラン系ラジカル）を低減させる等の、プラズマ生成部を通過したガスの気相反応支援を行い、プラズマプロセス装置による製膜性能、その他の表面処理性能を更に向上させる。 |
| 効果 |
分解種の生成を目的としたプラズマ生成部へのガス導入の他に、分解種との気相反応を目的としたガスを独立に導入することで、分解種の所望の気相反応を促進し、製膜等の処理対象となる基板におけるプロセス反応種の選択性・制御性を向上させることができる。
長寿命ラジカルが選択的に基板表面へ輸送されるラジカル分離効果が得られ、高品質薄膜シリコンの高速製膜に有効である。
また、スポット型凹部間を溝型凹部で相互接続する構成とした場合、不安定なプラズマ生成状態を防止できる。 |
技術概要
 |
プラズマで分解されるガスを、電極（２）表面上のプラズマ生成部へ向けて小孔（１２ａ）から供給する。更に、これとは異種のガスを別の小孔（１２ｂ）から供給して、分解後のガスと気相反応させる。気相反応用に供給するガスを適宜選択することで、プラズマ分解されたガス中のプロセス上有害な分解種を選択的に除去する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)