IV族半導体ナノ細線の製造方法

開放特許情報番号
L2014002057
開放特許情報登録日
2014/10/23
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2012-198008
出願日 2006/6/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-052504
公開日 2013/3/21
登録番号 特許第5435600号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 IV族半導体ナノ細線の製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 IV族半導体ナノ細線の製造方法、IV族半導体ナノ細線の構造制御方法
目的 IV族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
効果 実用に耐え得る耐環境性を有する絶縁物ナノ細線中にナノディスクやナノドットを周期的に配列した構造が得られる。また、ナノドットやナノディスクを3次元的に周期的に高密度に配置することもできる。また、このような構造を使用して、新たな発光材料、半導体電子・光素子を得ることもできる。
また、本発明を将来の半導体電子・光素子としての応用が期待されているIV族半導体ナノ細線の構造制御方法としても利用できる。また、本発明の方法を用いた、ナノ細線を用いた半導体電子・光素子を提供することができる。
技術概要
気相−液相−固相(Vapor-Liquid-Solid : VLS)成長法により、SiとGeの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりSiO↓2膜で被覆されたGeナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Si結晶およびSiとGeの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル(nm)スケールでサイズ制御された、SiとGeの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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