| 出願番号 |
特願2011-192222 |
| 出願日 |
2011/9/5 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2013-055209 |
| 公開日 |
2013/3/21 |
| 登録番号 |
特許第5728785号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ＭＩＳ構造の抵抗変化型メモリ素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
抵抗変化型メモリの素子構造、不揮発性メモリ |
| 目的 |
従来、オフ電流が大きいため、オフ動作が不安定になることが避けられなかったMIM型ReRAM素子において、電極の片方を金属からp型Si半導体に変更してMIS型にすることにより、10μA以下のオフ電流で安定して動作するReRAM素子を提供する。 |
| 効果 |
本発明に拠るMIS構造のReRAMは、従来のMIM構造のReRAMに比較し、３桁以上少ないオフ電流で動作し、画期的な省電力型不揮発性メモリの技術を提供できる。
また、本発明のMIS型ReRAM素子を使用すれば、革新的な省電力型不揮発性メモリが可能となり、究極の省電力を可能にするノーマリーオフコンピュータの実現に寄与できる。 |
技術概要
 |
ReRAM素子のオフ動作が、ホットエレクトロン化によるオフ機構による場合は、電子の活性化エネルギーが必要なため、オフ電流が大きくなる問題があった。オフ機構の原理を見直し、活性化エネルギーの必要がない電圧によるpn接合部の空乏化によるオフ機構に変更することにより、極めて低消費電力のReRAM素子を提供することができる。
本発明は、電極の一方を金属の代わりに導電性p型Si半導体を用いた金属/絶縁体/半導体のMIS構造を特徴とする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)