MIS構造の抵抗変化型メモリ素子

開放特許情報番号
L2014002056
開放特許情報登録日
2014/10/23
最新更新日
2015/7/1

基本情報

出願番号 特願2011-192222
出願日 2011/9/5
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-055209
公開日 2013/3/21
登録番号 特許第5728785号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 MIS構造の抵抗変化型メモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 抵抗変化型メモリの素子構造、不揮発性メモリ
目的 従来、オフ電流が大きいため、オフ動作が不安定になることが避けられなかったMIM型ReRAM素子において、電極の片方を金属からp型Si半導体に変更してMIS型にすることにより、10μA以下のオフ電流で安定して動作するReRAM素子を提供する。
効果 本発明に拠るMIS構造のReRAMは、従来のMIM構造のReRAMに比較し、3桁以上少ないオフ電流で動作し、画期的な省電力型不揮発性メモリの技術を提供できる。
また、本発明のMIS型ReRAM素子を使用すれば、革新的な省電力型不揮発性メモリが可能となり、究極の省電力を可能にするノーマリーオフコンピュータの実現に寄与できる。
技術概要
ReRAM素子のオフ動作が、ホットエレクトロン化によるオフ機構による場合は、電子の活性化エネルギーが必要なため、オフ電流が大きくなる問題があった。オフ機構の原理を見直し、活性化エネルギーの必要がない電圧によるpn接合部の空乏化によるオフ機構に変更することにより、極めて低消費電力のReRAM素子を提供することができる。
本発明は、電極の一方を金属の代わりに導電性p型Si半導体を用いた金属/絶縁体/半導体のMIS構造を特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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