シナプス動作素子

開放特許情報番号
L2014002052
開放特許情報登録日
2014/10/23
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2011-127824
出願日 2011/6/8
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2012-256657
公開日 2012/12/27
登録番号 特許第5696988号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 シナプス動作素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 シナプス動作をする2端子素子
目的 短期記憶(短期可塑性)と長期記憶(長期増強)を実現可能なシナプス動作素子を提供する。
効果 電圧印加の無い状態で、かつ、記憶レベルが一定の値以下の場合には記憶レベルの減衰が起こり、記憶レベルが一定の値以上の場合には、記憶レベルの減衰が起こらないシナプス動作素子を実現できる。
技術概要
イオン拡散材料からなる電極と金属からなる電極を間隙をもって配置する。このとき、1回の電圧印加では電極間に架橋が形成されない入力信号を用いることで、入力頻度や電圧の大きさ・幅に依存した記憶状態の保持と減衰を実現する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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