ダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置

開放特許情報番号
L2014002050
開放特許情報登録日
2014/10/23
最新更新日
2015/12/22

基本情報

出願番号 特願2011-134198
出願日 2011/6/16
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-001601
公開日 2013/1/7
登録番号 特許第5822259号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置
技術分野 無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策、制御・ソフトウェア
適用製品 ダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置
目的 原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
効果 未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。炭素原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率では、少なくとも10%以上とすることができ、条件を制御することにより50%以上とすることができる。
超高純度メタンガスや同体制制御されたメタンガスなど、高額な原料ガスを用いる場合に有用性が大きくなり、製造コストを低減できる。
技術概要
反応槽11内で、化学気相法により原料ガスから基板71上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式(1)を満たす原料ガス供給流量G↓0で反応漕11内に原料ガスを供給し、次式(2)を満たす排気流量G↓2で反応漕11内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。G↓0≦10×S×h…(1)G↓2≦0.90×G↓0…(2)ここで、Sは基板面積であり、hは結晶成長速度である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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