不揮発性メモリ素子とその製造方法

開放特許情報番号
L2014002024
開放特許情報登録日
2014/10/21
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2014-149390
出願日 2014/7/23
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-025258
公開日 2016/2/8
発明の名称 不揮発性メモリ素子とその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 トンネル抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその製造方法
目的 強誘電酸化物のバリア層を用いたトンネル抵抗変化型の不揮発性メモリ素子作製技術では、抵抗変化に必須となる、強誘電酸化物の表面状態、および金属電極との界面状態の品質を制御することが困難であり、安定したメモリ素子動作特性を有するトンネル抵抗変化型の不揮発性メモリ素子の作製に課題があった。
効果 試料の作製条件に左右されず、再現性・制御性良く不揮発メモリ特性を得ることができる。
特に、素子作製に用いる基板材料が、シリコンのように、バリア層である強誘電酸化物と全く結晶構造が異なるため表面状態が制御できないようなものであっても、スイッチングに必要な強誘電酸化物の表面状態を得ることができる。
技術概要
スイッチングに必要な、かつ、室温大気下で安定した強誘電酸化物の表面状態を形成するために、強誘電酸化物のバリア層と金属電極との間に、常誘電酸化物であるアルカリ土類酸化物の単原子膜を一様に挿入した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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