モノハロシランの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2014002010
- 開放特許情報登録日
- 2014/10/21
- 最新更新日
- 2018/1/23
基本情報
出願番号 | 特願2014-140459 |
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出願日 | 2014/7/8 |
出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 | |
公開日 | 2016/2/1 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 | モノハロシランの製造方法 |
技術分野 | 化学・薬品、無機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | モノハロシランの製造方法 |
目的 | 新規なモノハロシランの製造方法、特に収率、選択率の高いモノハロシランの製造方法を提供する。 |
効果 | 本発明によれば、高収率・高選択率でモノハロシランを製造することができ、半導体用シリコンの製造ガスとして利用されることが期待できる。 |
技術概要![]() |
シランガスとハロゲン化銅(II)を反応させてモノハロシランを生成させる反応工程を含むモノハロシランの製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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