シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法

開放特許情報番号
L2014002008
開放特許情報登録日
2014/10/21
最新更新日
2016/3/28

基本情報

出願番号 特願2014-137683
出願日 2014/7/3
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-015444
公開日 2016/1/28
発明の名称 シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン窒化膜用のエッチング剤やエッチング方法
目的 シリコン窒化膜エッチング後の導体膜や半導体膜上に半導体膜や電極等の導体膜を形成する場合において、接触抵抗を低く抑えることができるシリコン窒化膜用のエッチング剤やエッチング方法を提供する。
効果 本発明のエッチング剤やエッチング方法は、シリコン窒化膜エッチング後の導体膜や半導体膜上に接触抵抗の小さい導体膜や半導体膜を形成することができるので、太陽電池等のシリコン窒化膜を具備する各種素子等の電子部品の製造に適用することができる。
本発明のエッチング剤やエッチング方法は、ファイアースルーのような高温焼成が必要ないので、製造工程の処理温度上限が150〜400℃の範囲に制限されている各種素子等の電子部品に好適に適用することができる。
技術概要
導体膜又は半導体膜を形成する部分のシリコン窒化膜をエッチングする際に使用するエッチング剤であって、リン酸と金属体とを含み、ガラス成分を含まないことを特徴とするシリコン窒化膜用エッチング剤。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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