単結晶酸化すずワイヤを用いたデバイス

開放特許情報番号
L2014001980
開放特許情報登録日
2014/10/16
最新更新日
2016/5/24

基本情報

出願番号 特願2012-012886
出願日 2012/1/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-153044
公開日 2013/8/8
登録番号 特許第5900883号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶酸化すずワイヤを用いたデバイス
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 単結晶酸化すずワイヤを用いた新しいデバイス
目的 動作に大きな電圧を必要とせず、機械的入力をやめても機械的入力が行われた状態を保つことのできる(不揮発メモリー効果)、単結晶酸化すずワイヤを用いた新しいデバイスを提供する。
さらに、加えた電圧の値に応じて大きな抵抗変化のおこる歪みが異なるデバイスを提供する。
効果 本発明によれば、動作に大きな電圧を必要とせず、機械的入力をやめても機械的入力が行われた状態を保つことのできる、また、加えた電圧によって高抵抗状態となる歪みの値が変わる、単結晶酸化すずワイヤを用いた新しいデバイスを提供することが可能となる。
技術概要
単結晶酸化すずワイヤ2を用いたデバイスは、電気的な伝導状態において単結晶酸化すずワイヤ2に一定値の応力を加えると、高抵抗状態となり、応力の印加を解除してもその高抵抗状態を維持することを特徴とする。高抵抗状態になる応力は加えた電圧に依存する。応力の印加を解除した高抵抗状態において電圧を印加すると元の伝導状態に復帰する。低抵抗状態から高抵抗状態への変化には電圧を印加して無くても実現され、その応力印加の履歴を欠陥生成として記録できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT