バンドラインナップ装置及びその測定方法

開放特許情報番号

L2014001978

開放特許情報登録日

2014/10/16

最新更新日

2017/5/15

基本情報

出願番号	特願2012-170994
出願日	2012/8/1
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2013-167621
公開日	2013/8/29
登録番号	特許第6095043号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	バンドラインナップ装置及びその測定方法
技術分野	情報・通信
機能	機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品	バンドラインナップ測定装置、バンドラインナップ測定方法
目的	バンドラインナップの測定精度を下げる原因となる各測定装置の光学系と電子系の相違、試料の設置態様の相違、有機材料の照射によるダメージを克服し、測定精度を向上させたバンドラインナップ測定装置及びバンドラインナップ測定方法を提供する。
効果	本発明によれば、バンドラインナップの測定精度を向上させることができる。 別々の装置の場合に比較し装置特性の違いによる誤差が低減され、測定精度の向上を図ることができる。 また、試料取扱の変更が不要になり、試料取扱に伴うヒューマンエラーを減らすことができる。また、別の測定器で測定する際の測定のタイムラグを減らすことができ、より精度の高い測定が可能となる。 さらに、直接バンドラインナップの値を得ることができ、実験担当者の測定データ解析が容易に行える。 本発明の測定装置によれば、有機物材料でも、正確に測定できる。
技術概要	同一の光源及び照射光学系と試料ホルダーを用い、照射による生じる電流及び光量の同時測定を行う。光源１から出た光は分光器４によって単色化されフォトンエネルギーで掃引し、試料３１に照射される。照射によって生じた光電子は電流計で、反射光は光量計で計測する。透過性を有する材料の場合は、透過した光を光量計７２で測定する。照射フォトンエネルギーに対して電流値の立ち上がり位置からイオン化ポテンシャルを求め、また、反射又は透過測定からバンドギャップを求め、この２つの値からイオン化ポテンシャルのエネルギー位置及び電子親和力のエネルギー位置のバンドラインナップを求める。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】