| 出願番号 |
特願2012-038732 |
| 出願日 |
2012/2/24 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2013-175571 |
| 公開日 |
2013/9/5 |
| 発明の名称 |
有機電界効果トランジスタ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電界効果トランジスタ（有機ＦＥＴ）、コンタクト抵抗を低減する素子構造 |
| 目的 |
有機ＦＥＴのコンタクト抵抗を従来技術で達成できていた水準を超えて大幅に低減する。 |
| 効果 |
有機ＦＥＴのコンタクト抵抗を大幅に低減することにより、素子の移動度や動作安定性の向上、しきい電圧の制御、素子サイズのさらなる縮小、高速動作が可能となる。
また、有機ＦＥＴにおける電極のコンタクト抵抗の目覚しい低減が達成できるので、本発明はこれまで多くの分野への応用が記載されてきた有機半導体デバイスの実用化に大きく貢献することが期待される。 |
技術概要
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チャネル領域に隣接したソース電極、ドレイン電極のコンタクト部にアクセプター性材料をドーピングする。これにより、電極と有機半導体界面の空乏層が薄くなり電荷注入障壁抵抗Ｒ↓（ｉｎｔ）が低下するだけでなく、コンタクト近傍の電荷輸送にトラップの影響がなくなることによりアクセス抵抗Ｒ↓（ｂｕｌｋ）も低下し、その結果、両抵抗の合計であるコンタクト抵抗の大幅な低下が達成される。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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