アルミナ抵抗変化型メモリ素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001954
開放特許情報登録日
2014/10/16
最新更新日
2016/3/23

基本情報

出願番号 特願2011-228511
出願日 2011/10/18
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-089740
公開日 2013/5/13
登録番号 特許第5874905号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 アルミナ抵抗変化型メモリ素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 抵抗変化型メモリ素子及びその製造方法
目的 素子駆動電圧、消費電力がともに低く、高安定性・高信頼性・高耐久性かつ、酸素ないしは金属欠損型の金属酸化物層を抵抗変化層に用いる抵抗変化素子形成時のフォーミング処理ないしは欠損への電子注入という動作(フィラメントの形成)を必要としない、金属―絶縁体(抵抗変化層)−金属(MIM)構造の抵抗変化型メモリ素子を提供する。
効果 構造が単純かつ微細化が可能なことから、パーソナルコンピュータ及び携帯電話など電子機器に搭載されているメモリの小型化が可能となる。またその駆動電圧、電流が小さいことから省エネルギーへの効果も期待ができ、充電池を大型化することなく端末の駆動時間を大幅に増加することが可能となる。 また不揮発性の観点から、各種電子端末の動作の記憶、保持も可能となり、再起動時の駆動時間を減らすことが可能となり、ノーマリーオフコンピューティングなど省電力動作コンピュータ、モバイル端末の形成が可能となる。
技術概要
金属/金属酸化物(抵抗変化層)/金属の3層からなる抵抗変化型メモリ素子であって、前記金属酸化物中に電気伝導性を有する物質が添加され、物質を介して抵抗変化を引き起こす伝導性パスが形成され、素子の作動開始時において前記添加材料による導電性パスの高電圧のフォーミングプロセスを経ることなく導電性プレフィラメントが形成されていることを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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