最適イオン化ポテンシャル成膜装置とその方法

開放特許情報番号
L2014001857
開放特許情報登録日
2014/10/2
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2012-153328
出願日 2012/7/9
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2014-015660
公開日 2014/1/30
登録番号 特許第6040470号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 最適イオン化ポテンシャル成膜装置
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 最適イオン化ポテンシャル成膜装置と成膜方法
目的 所望のイオン化ポテンシャルの値又はそれに近い値を持つ、成膜条件を自動的に導き出せる最適イオン化ポテンシャル成膜装置及びその方法を提供する。
効果 本発明の成膜装置によれば、所望のイオン化ポテンシャルを持つ最適な材料の成膜条件が、初期成膜条件から逐次成膜条件を変更することで最適な範囲を自動的に求めることができる。
即ち、最終的な物性の目標値を入れるだけで、成膜条件を自動で最適化することができ、最適イオン化ポテンシャル成膜が可能になる。
また本発明の成膜方法によれば、所望のイオン化ポテンシャルを持つ最適な材料の成膜条件を自動的に取得できる。
さらに、本発明は、通常のスパッタリング装置やコンビナトリアル装置による半導体等の成膜工程に用いて好適である。
技術概要
試料4から成膜後試料を製造すると共に、成膜途中の試料4や成膜後試料6のイオン化ポテンシャル測定を行う最適イオン化ポテンシャル成膜装置において、成膜用原料を試料4に対して所定の成膜条件で供給する成膜原料供給部(7a、7b)と、イオン化ポテンシャル計測部(12a、12b、13、16)と、イオン化ポテンシャル計測を行った結果と、試料4の成膜面でのイオン化ポテンシャル目標値とを比較して、イオン化ポテンシャル計測値がイオン化ポテンシャル目標値を充足するように、成膜原料供給部7の成膜条件を修正するフィードバック制御部(15、17、19)を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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