アルミニウム酸化物層を抵抗変化層に用いた抵抗変化型メモリ素子

開放特許情報番号
L2014001855
開放特許情報登録日
2014/10/2
最新更新日
2016/7/27

基本情報

出願番号 特願2012-066523
出願日 2012/3/23
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-197561
公開日 2013/9/30
登録番号 特許第5939482号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 抵抗変化型メモリ素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 抵抗変化型メモリ素子
目的 抵抗変化層は酸素欠損を有し、かつ導電性材料が添加されたアルミニウム酸化物層からなる電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層を上下に挟んで配置された酸素欠損を有するアルミニウム酸化物層により構成される構造を有する抵抗変化型メモリ素子を考案する。
効果 パーソナルコンピュータ及び携帯電話など電子機器に搭載されているメモリの小型化が可能となり、省エネルギーへの効果も期待ができる。またこのため充電池の容量を変更することなく端末の駆動時間を大幅に増加することが可能となる。また各種電子端末の動作の記憶、保持も可能となり、再起動時の駆動時間を減らすことが可能となり、ノーマリーオフコンピューティングなど省電力動作コンピュータ、モバイル端末の形成が可能となる。
技術概要
上部金属電極/アルミニウム酸化物層(抵抗変化層)/下部金属電極層からなる抵抗変化型メモリ素子であって、抵抗変化層は、酸素欠損を有し、かつ導電性物質が添加されたアルミニウム酸化物層からなる電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層を上下に挟んで配置された酸素欠損型アルミニウム酸化物層の2種類のアルミニウム酸化物層により構成される構造を有することを特徴とする抵抗変化型メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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