希土類アルミノボライド熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

開放特許情報番号
L2014001852
開放特許情報登録日
2014/10/2
最新更新日
2017/2/24

基本情報

出願番号 特願2013-036757
出願日 2013/2/27
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2013-219330
公開日 2013/10/24
登録番号 特許第6061272号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 希土類アルミノボライド熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 希土類アルミノボライド熱電半導体の製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
目的 高温領域で使用することができ、組成比を変えることによってn型とp型の両方の型の熱電特性を示す熱電半導体を提供する。
効果 基本的に同じ製造プロセスによって両方の型の熱電半導体を製造することが出来るという製造上の利点とともに、熱膨張率などの熱的特性が揃った一対の熱電半導体が得られるので、熱サイクルを繰り返したときの熱膨張率の違いなどの熱的特性の違いによる熱電素子の劣化や損傷を防止・低減することができる。
大量の粉末試料を合成することができ、Al量によってp型およびn型の何れの熱電半導体でも製造することができる。
技術概要
熱電半導体として希土類アルミノボライドY↓aAl↓xB↓(14)(ここで、0.49<x<0.63、0.30<y<0.70)を使用する。Alの組成比xの値が0.53より大きい場合にはn型、それより小さい場合にはp型の熱電特性が発現する。なお、Yの組成比については上式の範囲であれば熱電特性に大きな影響は与えない。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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