| 出願番号 |
特願2011-040280 |
| 出願日 |
2011/2/25 |
| 出願人 |
日本放送協会 |
| 公開番号 |
特開2012-178439 |
| 公開日 |
2012/9/13 |
| 登録番号 |
特許第5576814号 |
| 特許権者 |
日本放送協会 |
| 発明の名称 |
半導体デバイス及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体デバイス及びその製造方法 |
| 目的 |
良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソース・ドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
良好な電気的特性の半導体デバイスを実現することができ、チャネル領域と低抵抗領域を有する半導体デバイス全般に利用することができる。 |
技術概要
 |
酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、
薄膜領域と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域とを有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記薄膜領域と前記厚膜領域の両者に同時に同じエネルギー密度のエネルギービームを照射することにより、前記薄膜領域をチャネル領域、前記厚膜領域を低抵抗領域に改質する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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