太陽電池及び太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2014001706
開放特許情報登録日
2014/9/15
最新更新日
2014/9/15

基本情報

出願番号 特願2008-140646
出願日 2008/5/29
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2009-289955
公開日 2009/12/10
登録番号 特許第4829926号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 太陽電池及び太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 太陽電池及び太陽電池の製造方法
目的 カルコパイライト型太陽電池の特性の改善に寄与する界面層を均一に、また、適切な膜厚で形成することができ、裏面電極の抵抗上昇の抑制、光吸収層との界面剥離の抑制を両立しながら光電変換効率を向上させる。
効果 本発明に係る太陽電池及び太陽電池の製造方法によれば、カルコパイライト型太陽電池の特性の改善に寄与する界面層を均一に、また、適切な膜厚で形成することができ、裏面電極の抵抗上昇の抑制、光吸収層との界面剥離の抑制を両立しながら光電変換効率を向上させることができる。
技術概要
裏面電極層と、
前記裏面電極層上に形成されたCIGS光吸収層と、
前記CIGS光吸収層上に緩衝層を介して形成された透明電極とを有し、
前記裏面電極層は、第1電極層と、該第1電極層上に形成された酸素を含む第2電極層とを有し、
前記CIGS光吸収層と前記裏面電極層の前記第2電極層との間に、前記第2電極層を構成する金属と前記CIGS光吸収層を構成するセレンとの反応層が介在され、
前記裏面電極層の前記第2電極層を構成する金属は、Mo(モリブデン)であり、
前記反応層は、MoSe層であることを特徴とする太陽電池。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT