半導体装置、インターポーザ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001666
開放特許情報登録日
2014/9/12
最新更新日
2016/2/23

基本情報

出願番号 特願2014-119886
出願日 2014/6/10
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-233099
公開日 2015/12/24
発明の名称 半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
目的 3次元集積回路において、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置、インターポーザ、及びその製造方法を提供する。
効果 本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。
また、本実施形態に係るインターポーザの製造方法によれば、放熱特性の高い3次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを製造することができる。
そして、本実施形態に係るインターポーザによれば、冷媒が導入される流路を構成する溝を備えることにより、放熱特性の高い3次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを実現することができる。
技術概要
 
第1面の一部に形成された溝と、前記溝以外の領域において前記第1面と前記第1面の裏面の第2面との間を貫通するビアとを備えるインターポーザと、
前記インターポーザの前記第1面側に搭載された第1半導体チップと、
前記インターポーザの前記溝以外の領域と前記第1半導体チップとの間に設けられ、前記インターポーザと前記第1半導体チップとを接着する接着層と、
を備え、
前記溝及び前記接着層により、前記第1半導体チップに接触する冷媒が導入される流路が形成されている、
半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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