半導体装置、インターポーザ及びその製造方法

開放特許情報番号

L2014001666

開放特許情報登録日

2014/9/12

最新更新日

2019/1/30

基本情報

出願番号	特願2014-119886
出願日	2014/6/10
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2015-233099
公開日	2015/12/24
登録番号	特許第6430153号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
目的	３次元集積回路において、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置、インターポーザ、及びその製造方法を提供する。
効果	本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。 また、本実施形態に係るインターポーザの製造方法によれば、放熱特性の高い３次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを製造することができる。 そして、本実施形態に係るインターポーザによれば、冷媒が導入される流路を構成する溝を備えることにより、放熱特性の高い３次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを実現することができる。
技術概要	第１面の一部に形成された溝と、前記溝以外の領域において前記第１面と前記第１面の裏面の第２面との間を貫通するビアとを備えるインターポーザと、 前記インターポーザの前記第１面側に搭載された第１半導体チップと、 前記インターポーザの前記溝以外の領域と前記第１半導体チップとの間に設けられ、前記インターポーザと前記第１半導体チップとを接着する接着層と、 を備え、 前記溝及び前記接着層により、前記第１半導体チップに接触する冷媒が導入される流路が形成されている、 半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】