イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2014001592
開放特許情報登録日
2014/9/3
最新更新日
2015/5/20

基本情報

出願番号 特願2006-162394
出願日 2006/6/12
出願人 国立大学法人京都大学、日新イオン機器株式会社
公開番号 特開2007-335110
公開日 2007/12/27
登録番号 特許第4514157号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 イオンビーム照射装置およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法、イオン注入装置
目的 電界放出型電子源を用いて、イオンビームの空間電荷を効率良く中和して、空間電荷によるイオンビームの発散を効果的に抑制することができる装置を提供する。
効果 イオンビームの空間電荷を効率良く中和して、空間電荷によるイオンビームの発散を効果的に抑制することができる。その結果、イオンビームの輸送効率を向上させることができる。
電子によるターゲット表面の負帯電を抑制することができる。これは、電界放出型電子源から放出する電子のエネルギーがあまり低くない場合に特に大きな効果を発揮する。
また、同一の半導体基板上に特性の揃った複数の半導体デバイスを製造することができ、その結果、歩留まりが向上し、半導体デバイスの生産効率が向上する。
技術概要
このイオンビーム照射装置は、イオンビーム2の経路の近傍に設けられていて電子12を放出する電界放出型電子源10を備えている。電界放出型電子源10は、それから放出するときの電子12の、イオンビーム2の進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、−15度から+45度(イオンビーム2の内向きが+、外向きが−)の範囲内の角度を成す向きに配置されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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