カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法

開放特許情報番号
L2014001587
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2006-512134
出願日 2005/4/8
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 WO2005/098968
公開日 2005/10/20
登録番号 特許第4680182号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法
目的 カルコパイライト系化合物の構成成分が、CIGS層内部に均一に分布する膜構造を備えたカルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。
効果 本発明により、得られる光吸収層の膜構造は、CIGSからなるカルコパイライト系化合物の構成成分、特にGa及びSeの両元素が、均一に分布したものとなる。
従って、本発明により製造される光吸収層を備えた太陽電池は、カルコパイライト型薄膜太陽電池に特徴的な光電変換効率性能の優位性を確実に得ることができる。
また、薄膜太陽電池用光吸収層の製造に適用され、CIGSを光吸収層とする薄膜太陽電池の単セルを直列接続することにより、光電変換効率の高い太陽電池として利用可能である。
技術概要
本発明の光吸収層の製造方法は、
(1)Mo電極層上に、この電極層に隣接するIn金属層とCu−Ga合金層とをスパッタリング法により積層するプリカーサ形成工程と、
(2)プリカーサが形成された基板1を気密空間に収容した状態で、室温〜250℃の温度範囲とした気密空間内にセレン化水素ガスを導入する第1セレン化工程と、
(3)250℃〜450℃の温度範囲に昇温した気密空間内にセレン化水素ガスを追加導入する第2セレン化工程と、
(4)第2セレン化工程までの導入セレン化水素ガスを残留させた状態で、気密空間内を450℃〜650℃の温度範囲に昇温し、この温度範囲条件下で前記基板の熱処理を行う第3セレン化工程と、
(5)熱処理後の基板を冷却する冷却工程とからなる。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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