カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001584
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2005-008055
出願日 2005/1/14
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2006-196771
公開日 2006/7/27
登録番号 特許第4549193号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法
目的 光電変換効率の向上を実現し得るカルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
効果 本発明によるカルコパイライト型薄膜太陽電池は、p型の光吸収層とn型のバッファ層との間のバンドギャップの整合が得られ、開放電圧の低下を伴わず、光電変換効率の向上を実現することができる。
InAISバッファ層は、高価なIn希少金属の使用量を軽減できるので、コスト削減効果も得られる。
また、本発明は、ワイドギャップ化が要請された光吸収層を備えたカルコパイライト型薄膜太陽電池において、そのバッファ層の製造へ活用可能である。
技術概要
ソーダライムガラス基板1上に形成されたMo電極層2上に、Cu、In及びGaを含むプリカーサ層4をスパッタリング法により形成するプリカーサ形成工程と、プリカーサ形成が行われた基板1に対して、500℃より高く、かつ、基板融点より低い温度範囲のH↓2Seガス雰囲気中で熱処理を行って光吸収層4を形成するセレン化工程と、光吸収層4上に、InAlSを含むn型のバッファ層5を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層5上に透明電極層6を形成する透明電極層形成工程と、を行ってカルコパイライト型薄膜太陽電池を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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