カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2014001582
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2004-334284
出願日 2004/11/18
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2006-147759
公開日 2006/6/8
登録番号 特許第4663300号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法
目的 基板材料としての要望に適合し、しかも、ガラス基板の問題点を克服した基板を用い、カルコパイライト型薄膜太陽電池を製造する方法を提供する。
効果 乾式法方式を採用することで、高絶縁性、入手容易性、低コスト、Mo電極層に対する高密着性、表面平滑性、高温環境に耐え得る高融点、軽量性、フレキシブル性、大量生産対応、高変換効率実現などの基板材料に対する要望を充足する。また、併せて工程簡素化の効果も得られる。
技術概要
集成マイカ基板31を供給する基板供給工程と、基体をクリーニングするドライクリーニング工程と、窒化膜から成るバリア層32を形成するバリア層形成工程と、Mo金属膜33を形成する裏面電極層形成工程と、裏面電極を分割する第1スクライブ工程と、裏面電極上に、Cu、In及びGaを含むプリカーサを形成するプリカーサ形成工程と、プリカーサに対してSeを添加し、熱処理を行って、I属、III属及びVI属元素を含む光吸収層34を形成する光吸収層形成工程と、n型バッファ層35を形成するバッファ層形成工程と、これら各工程で形成された素子を分割する第2スクライブ工程と、バッファ層35上に透明電極層36を形成する透明電極層形成工程と、透明電極層形成工程までで形成された素子を分割する第3スクライブ工程とからなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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