光吸収層の作製方法

開放特許情報番号
L2014001579
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2003-568702
出願日 2003/1/28
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 WO2003/069684
公開日 2003/8/21
登録番号 特許第3876440号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 光吸収層の作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜太陽電池における光吸収層の作製方法
目的 化合物半導体による薄膜太陽電池におけるエネルギー変換効率を向上させるために光吸収層にIa族元素のアルカリ成分を拡散させる層を、変質や剥離の問題を生ずることなく、簡単な工程で得ることができるようにする。
効果 本発明による光吸収層の作製方法によれば、エネルギー変換効率を向上させるために光吸収層にIa族元素のアルカリ成分を拡散させる層を、裏面電極上に剥離の問題を生ずることなく、簡単な工程で得ることができるようになり、薄膜太陽電池の製造に際して本発明を適用すれば構造上強固で、効率の良い太陽電池を容易に得ることができるようになる。
技術概要
化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、アルカリ金属を含む水溶液に裏面電極を浸漬したのち乾燥させて裏面電極上にアルカリ層を形成したうえで、その上に積層プリカーサ膜を形成することにより、エネルギー変換効率を向上させるために光吸収層にIa族元素のアルカリ成分を拡散させる層を、裏面電極上に変質や剥離の問題を生ずることなく、簡単な工程で得られるようにする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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