化合物薄膜太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2014001576
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2002-237158
出願日 2002/7/12
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2004-047916
公開日 2004/2/12
登録番号 特許第4264801号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 化合物薄膜太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
目的 p型化合物半導体からなる光吸収層の上に、接合性の良い特性の安定したヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けるようにする。
効果 接合性の良い特性の安定したpn接合を得ることができるとともに、透明電極との間の障壁をなくして再結合による性能劣化を防止することができる。
技術概要
裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設け、そのバッファ層上にZnO:Alからなる透明電極を成膜してなる化合物薄膜太陽電池の製造方法において、そのバッファ層が下部の光吸収層から上部の透明電極へ向かって成分の割合がZnSからZnOに連続的に変化するようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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