化合物薄膜太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2014001573
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2002-200614
出願日 2002/6/5
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2004-015039
公開日 2004/1/15
登録番号 特許第4320529号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
目的 裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、CBD法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのn型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したpn接合を得ることができるようにする。
効果 溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのn型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したpn接合を得ることができる。
技術概要
裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、CBD法によりバッファ層を形成するに際して、光吸収層の界面へn型ドーパントを拡散させる第1の工程と、表面反応律速領域による第2のバッファ層を形成する第2の工程と、供給律速領域による第2のバッファ層を第1のバッファ層に重ねて形成する第3の工程とをとるようにした化合物薄膜太陽電池の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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