化合物薄膜太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2014001571
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2002-129381
出願日 2002/3/26
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2003-282909
公開日 2003/10/3
登録番号 特許第4055053号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
目的 バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいInS系材料を用いてバッファ層を形成しても、光の透過率が良く、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良くなるようにする。
効果 バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいInS系材料を用いても光の透過率が良く、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良いバッファ層を形成することができる。
技術概要
裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のInS系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、CBD法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させてInS系バッファ層を形成する際に、第1の設定時間のあいだその水溶液を第1の温度に保持する第1の工程と、第2の設定時間のあいだその水溶液を第1の温度よりも高い第2の温度に上昇させる第2の工程と、第3の設定時間のあいだその水溶液を第2の温度に保持させる第3の工程とをとるようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
Copyright © 2017 INPIT