光吸収層の作製方法および装置

開放特許情報番号
L2014001570
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2002-127611
出願日 2002/3/25
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2003-282908
公開日 2003/10/3
登録番号 特許第4320525号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 光吸収層の作製方法および装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 光吸収層の作製方法および装置
目的 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu−Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成し、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製するに際して、光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い光吸収層を作製する。
効果 構造的に強固な、しかも電池特性の良好な太陽電池を得ることができる。
光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下に起因する電池特性の劣化を防止して、品質の良い光吸収層を得ることができる。
技術概要
化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu−Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、裏面電極上にIn層を形成したうえで、その上にCu−Ga合金層を形成して積層プリカーサ膜を形成し、その積層プリカーサ膜の加熱を開始して炉内温度が100℃に達した時点から、H2Seガスをチャージした後、炉内温度を500〜520℃に保った状態で熱処理するようにしたことを特徴とする光吸収層の作製方法。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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