バッファ層膜厚測定方法

開放特許情報番号
L2014001568
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2006-339937
出願日 2006/12/18
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2008-153438
公開日 2008/7/3
登録番号 特許第4734224号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 バッファ層膜厚測定方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 バッファ層膜厚測定方法
目的 カルコパイライト型太陽電池に含まれるn型バッファ層の略正確な膜厚を求めることが可能なバッファ層膜厚測定方法を提供する。
効果 XRF分析におけるSの検出強度に基づいて、該半製品におけるn型バッファ層の略正確な膜厚を迅速に求めることができる。
すなわち、本発明によれば、n型バッファ層の膜厚を略正確且つ迅速に、しかも、カルコパイライト型太陽電池を損傷する懸念もなく測定することができる。従って、カルコパイライト型太陽電池を量産する場合にも対応可能である。
技術概要
硫化物からなり、且つカルコパイライト型太陽電池に含まれるn型バッファ層の膜厚を測定するバッファ層膜厚測定方法であって、
基板の上方に金属電極層を設ける工程と、前記金属電極層の上方にp型のカルコパイライト型化合物(ただし、Sを含むものを除く)からなる光吸収層を設ける工程と、前記光吸収層上に前記n型バッファ層を設けて半製品を設ける工程と、蛍光X線分析装置を用いて前記半製品にX線を入射する工程と、を有し、
前記X線を、0°を超え、且つ前記金属電極層の材質である金属を検出した蛍光X線検出強度が前記n型バッファ層の構成元素であるSを検出した蛍光X線検出強度を下回る角度の範囲内の固定角度で前記半製品に入射して前記Sの蛍光X線検出強度を測定し、
前記固定角度における蛍光X線分析での前記Sの蛍光X線検出強度と前記n型バッファ層の膜厚との関係式から、前記n型バッファ層の膜厚を求めることを特徴とするバッファ層膜厚測定方法。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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