太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2014001566
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2006-145800
出願日 2006/5/25
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-317885
公開日 2007/12/6
登録番号 特許第4925724号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 太陽電池とその製造方法
目的 従来のスクライブ技術では、第1のスクライブと第2のスクライブとをある程度離間させることは各単位セルを絶縁させるうえで必須であり、デッドスペースを減少させることが困難であったため、変換効率を向上させることが困難であった。金属針やレーザ光を用いたスクライブでは、スクライブの強弱の調整が難しいため、強いと下部電極(Mo電極)を破損してしまう。また、弱い場合、光吸収層が除去しきれず残ってしまい高抵抗層となるため、上部の透明電極(TCO)と下部のMo電極とのコンタクト抵抗が極端に悪化するという問題があった。
効果 第1のスクライブをおこなった領域に一部が重なるようにレーザ光(例えば周波数5kHz)を照射し、光吸収層の導電率が高まるように改質するコンタクト電極を形成すると共に、一部の光吸収層を除去することにより、可視光の透過性を有するようにしたので、リーク電流を引き起こさずにデッドスペースを減少させることが可能となり、光電変換効率が高く、一部が可視光を透過するので利用範囲が広い太陽電池を得ることができる。
技術概要
ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され導電層を分割してなる複数の下部電極と、
前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたCu(InGa)Seからなるカルコパイライト型の光吸収層と、前記光吸収層上に形成された透明な導電層である複数の上部電極と、前記分割された下部電極層間のガラス基板が露出する部分であって前記光吸収層が除去されその上に上部電極層が形成されることによって形成される空間にて構成されるシースルー部と、前記下部電極と光吸収層と上部電極にて構成される単位セルを直列接続すべく前記光吸収層の一部を光吸収層より導電性を高めるように改質してなるコンタクト電極部とを有し、
前記コンタクト電極は、そのCu/In比率が1よりも大きく、かつ光吸収層のCu/In比率よりも大きい値であり、
前記光吸収層上にはInSで形成されるバッファ層を介して前記上部電極が形成されていることを特徴とする太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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