カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2014001565
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2006-145487
出願日 2006/5/25
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-317858
公開日 2007/12/6
登録番号 特許第4439492号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 カルコパイライト型太陽電池とその製造方法
目的 従来のスクライブ技術では、第1のスクライブと第2のスクライブとをある程度離間させることは各単位セルを絶縁させるうえで必須であり、デッドスペースを減少させることが困難であったため、変換効率を向上させることが困難であった。
効果 隣接する単位セルの一方の単位セルの上部電極と他方の単位セルの下部電極との電気的な接続を確保したうえで、リーク電流を引き起こさずにデッドスペースが減少させることが可能となり、光電変換効率が高いカルコパイライト型太陽電池を得ることができる。
光吸収層を改質したコンタクト電極を第1のスクライブで形成したスクライブラインに一部を重ねることにより発電領域を増加させ、さらに、直列接続の内部抵抗値を軽減することが可能となった。その結果、光電変換効率が高いカルコパイライト型太陽電池を得ることができた。
技術概要
基板と、前記基板の上部に形成された導電層を分割してなる複数の下部電極と、前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたカルコパイライト型の光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたInSからなるバッファ層と、
隣接する前記下部電極の間と隣接する前記下部電極の一方に跨って形成され且つ前記光吸収層の一部と当該光吸収層の上に形成された前記バッファ層とを改質することで当該バッファ層が消失し、前記光吸収層よりもCu/In比率が1より高く導電性が高くなった単層のコンタクト電極と、前記コンタクト電極に隣接する箇所で複数に分割された透明な導電層である上部電極と、前記コンタクト電極の素子分離用溝側に連続して残されたデッドスペースとを有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
Copyright © 2017 INPIT