太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2014001563
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2005-298422
出願日 2005/10/13
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-109842
公開日 2007/4/26
登録番号 特許第4703350号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 太陽電池の製造方法
目的 単位セルを接続する部分の抵抗値が高くなると、モジュール全体の変換効率が悪くなる。また、単位セルを接続する部分が薄くなっていると、外部からの力や経年変化によって破損しやすく、信頼性の低下を招く。透明上部電極の厚さを厚くすると、光吸収層に到達する光量が減ってしまい、発電効率が低下してしまう。
上部の透明電極(TCO)と下部のMo電極とのコンタクト抵抗が極端に悪化し、金属針を用いた場合、摩耗による金属針の交換等、メンテナンスが面倒であるという問題があった。
効果 光吸収層自体を改質させてコンタクト電極部としているため、従来のように単位セルを接続する部分が薄くなって抵抗が大きくなることがない。したがって、光電変換効率が高く、経年変化がなく、信頼性の高い太陽電池を得ることができる。
技術概要
基板上に下部電極となるモリブデン(Mo)層を形成する導電層形成工程と、前記導電層を複数の下部電極に分割する第1のスクライブ工程と、前記下部電極上にCu(InGa)Seからなるカルコパイライト型の光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、
前記光吸収層の一部にレーザ光を照射して当該一部のCu/In比率を他の部分の光吸収層のCu/In比率よりも高く且つ当該比率を1よりも大きくし、更に前記下部電極からのモリブデン(Mo)を取り込んで再結晶化させて導電率が高くなるように改善するコンタクト電極部形成工程と、前記光吸収層とコンタクト電極部の上に上部電極となる透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、前記透明導電層を光吸収層とともに複数の上部電極に分割する第2のスクライブ工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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